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東莞市中鎵半導体科学技術有限会社は2009年1月に成立され、広東東莞市で本部を設立し、総登録資本金は1.3億元人民元です。本部で設立した工場、オフィス区域等は合計17000数平方メートル、また、?#26412;─?000平方メートルの大型研究開発センターを設立した。中国国内で初の窒化ガリウム(GaN)基板材料の生産に専念?#24037;?#20225;業です。

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