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  • - 公司成立

    东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月,总部设于广东东莞,总注册资本为1.3亿元人民币,总部设立厂房办公区等共17000多平方米,并在?#26412;?#35774; 立面积达1000平方米的大型研发中心,为中国国内首家专业生产氮化镓(GaN)衬底材料的企业。

  • - 人才队伍

    企业?#21592;本?#22823;学宽禁带半导体研究中心为技术依托,引进国内外优秀的技术及管理团队, 2010年获建博士后工作站,截至2019年有院士1人,教授级别人员共 1人,博士9人,硕士27人,拥有先进的技术及管理优势。

  • - 公司资质和荣誉

    2009年成立北大中镓半导体研究中心;同年被广东省人民政府批准的首批创新科?#22411;?#38431;;成为广东省现代产业500强项目;被广东省科学技术厅评为“国际科技合作基地”。

    2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广东省科技创新质量管理先进单位?#20445;?#21516;年被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业”、被广东省经济和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产业骨干企业”。

    2015年10月,公司被科学技术部认定为“国家国际科技合作基地”。入选《广东经济》理事学会理事单位、东莞市电子元件协会常务?#34987;?#38271;单位、东莞电?#26377;?#24687;产业数码产业协会常务?#34987;?#38271;单位、东莞市半导体行业?#34987;?#38271;单位、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。

    2017年11月,公司荣获全国半导体设备和材料标准化技术委员会2017年度“突出贡献奖”。

    2018年11月,中镓半导体科技有限公司的4英寸氮化镓蓝宝石复合衬底、6英寸硅基氮化镓功率器件外延片被认定为“广东省高新技术产品”。

  • - 主营业务与专利技术

    公司创造性采用MOCVD技术、HVPE技术相结合的方法,研发、生产产品包括:氮化镓(GaN)半导体衬底材料,GaN/AI2O3复合衬底、GaN单晶衬底及氢化物气相外延设备(HVPE)等,主要应用于MiniLED& MicroLED、车灯、激光器、功率器件、射?#28783;?#20214;。

  • - 公司发展与规划

    公司已建成国内首家专业的氮化镓(GaN)衬底材料生产线,制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底,并能够稳定生产。

    相关产品技术达到国际先进乃至国际领?#20154;?#24179;,形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。公司拟以衬底核心技术为基础,全面进入氮化物半导体技术的研发和生产,实现完整的产业链的垂?#38381;?#21512;结构发展,打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地,逐步?#24179;?#24418;成达百亿产值的半导体产?#23548;?#32676;。

  • - 公司愿景

    公司立足中国,放眼全球,竭力为半导体行业带来一个新的契机!

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